بر اساس گزارش علم و آموزش منتشر شده از سوی انجمن های پژوهشی ایرنا، این امکان با بهره برداری از یک حالت فیزیکی جدید که در آن از رسانایی یا مقاومت دستگاه به ،وان حامل اطلاعات استفاده می شود، فراهم می شود. این شرایط به گونه ای ایجاد می شوند که مح،ات مبتنی بر حافظه مقاومتی را می توان به سه سطح طبقه بندی کرد:
در سطح 1، فقط از ویژگی اتصال استاتیک استفاده می شود. در سطح 2 علاوه بر مدهای هدایت ایستا، از تغییر دینامیکی از یک حالت به حالت دیگر نیز استفاده می شود. در سطح 3، حالت‌های هدایت استاتیک و تبدیل دینامیکی بین دو حالت استفاده می‌شود که منجر به مفهوم جدیدی از نورون‌ها به نام نورون‌های هیسترتیک می‌شود.
در حدود سال 2010، اندکی پس از پیوند مفهوم حافظه مقاومتی با پدیده سوئیچینگ مقاومتی، جامعه در تقاطع دستگاه های الکترونیکی و مح،ات عصبی متوجه شدند که حافظه های مقاومتی یا حافظه هایی با حالت های هدایت قابل برنامه ریزی می توانند به ،وان سیناپس های مصنوعی استفاده شوند. متعاقباً، آرایه‌های مریستور در طول سال‌ها برای تسریع ضرب ماتریس (MVM) مورد استفاده قرار گرفته‌اند که به ،ه خود ستون فقرات بسیاری از الگوریتم‌ها مانند شبکه‌های عصبی، حل معادلات در مح،ات علمی و موارد مشابه را تشکیل می‌دهد.
این رشته کاملاً توسعه یافته است و به کاربردهای عملی نزدیک می شود و اغلب در چارچوب مح،ات آنالوگ در حافظه (IMC) طبقه بندی می شود.
در سال 2010، یک تیم تحقیقاتی به رهبری استنلی ویلیامز در آزمایشگاه HP پیشنهاد کرد که ممریستورهای سوئیچینگ پویا می توانند برای مح،ه منطق بولی استفاده شوند. آنها نشان دادند که یک مدار ساده متشکل از دو حافظه موازی و یک مقاومت بار به ،وان یک گیت منطقی (IMP) عمل می کند.
تحقیقات جدید نشان داده است که رویدادهای سوئیچینگ دوقطبی برای ممریستورها را می توان یک تکنیک عملیاتی غیرخطی منحصر به فرد در نظر گرفت.
منبع: https://www.irna.ir/news/85598339/%D9%85%D8%B9%D8%B1%D9%81%DB%8C-%D8%B3%D9%87-%D8%B3%D8%B7%D8%AD-%D8%A7%D8%B2-%D9%85%D8%AD%D8%A7%D8%B3%D8%A8%D8%A7%D8%AA-%D8%A8%D8%B1-%D9%85%D8%A8%D9%86%D8%A7%DB%8C-%D8%AD%D8%A7%D9%81%D8%B8%D9%87-%D9%85%D9%82%D8%A7%D9%88%D9%85%D8%AA%DB%8C